A unos meses del anuncio oficial del Galaxy Note 6, Samsung reveló un nuevo módulo de memoria DRAM que podría venir integrado en los próximos gama alta de compañía. Lo anterior ocurrió en el marco del Samsung Mobile Solutions Forum en Shenzhen, China, donde el fabricante mostró un módulo de 6 GB de memoria DRAM LPDDR4.
La gracia de esta memoria es de apenas 10 nanómetros, lo que garantiza un bajo consumo de energía. El salto a los 6 GB podría ocurrir con el Galaxy Note 6, del cual se dice que contará con un chip Snapdragon 823, almacenamiento interno de hasta 256 GB, batería de 4.200 mAh y una pantalla de 5,8 pulgadas.
Será hasta agosto cuando comprobemos las especificaciones de este teléfono. Al igual que el año anterior, Samsung podría adelantarse a IFA para mostrar su nuevo teléfono y así ganar terreno ante el inminente lanzamiento del iPhone 7 en septiembre.
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